- 940nm z otworem IRLED -

Inny kąt spowoduje inny efekt oświetlenia, im węższa szerokość wiązki, tym większa odległość promieniowania. Natomiast większą szerokość wiązki, tym większa powierzchnia oświetlenie. W fabryce Best LED dostępne są różne kąty widzenia, dzięki czemu możesz wybrać dowolny z nich do swojej aplikacji. Na rynku większość ludzi używa 850nm LED lub 940nm LED do kamery noktowizyjnej. Wtedy możesz się zastanawiać, czy dioda LED 810 nm nie może w tym celu działać? Zaufanie jest takie , że te diody LED 810 nm nie tylko mogą być używane w noktowizorach, ale mogą również działać lepiej niż diody LED 850 nm. Który może zastąpić diodę LED 850nm i dodać rozpoznawanie twarzy ludzi. Podobnie jak wszystkie diody LED z otworami przelotowymi, te lampy LED na podczerwień 810 nm mają również rodzaje wyświetlania do wyboru: 5 stopni 810 nm LED, 20 stopni 810 nm LED, 30 stopni 810 nm LED, 60 stopni 810 nm LED, 90 stopni 810 nm LED ect. Zwykle dioda LED 940 nm jest pakowana z diodą LED z otworem przelotowym o średnicy 5 mm lub inną obudową LED SMD. Ale w przypadku niektórych projektów ludzie muszą używać większych soczewek, aby zwiększyć obszar promieniowania. Potrzebujesz diody LED 810 nm w bardziej konkurencyjnej cenie? Skontaktuj się z nami teraz!

- Rozmiar 3 mm IR LED z otworem przelotowym -

*Ten futerał jest również dostępny dla innych diod LED, takich jak: 5mm zielona przewlekana dioda LED, UV LED, 660nm LED, 940nm LED, 5mm niebieska przewlekana dioda LED, żółta dioda LED, bursztynowa dioda LED itp. *

- Praca otworowa LED IR -

*Kolory na zdjęciu zostały zrobione aparatem, standardowo należy wziąć rzeczywisty kolor emitujący.

- Otworowa dioda LED IR Parametr -

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Collector-Emitter Voltage	VCEO			30	V
Emitter-Collector Voltage	VECO			5	V
Collector Dark Current	ICEO			30	nA	VCE=20V Ee=0mw/cm2
Collector Dark Current	ICEO			150	uA	VCE=70V Ee=0mw/cm2
On State Collector Current	IC(on)		0.7	4	mA	Ee=1mw/cm2 Vce=5v
Collector-Emitter Breakdown Voltage	Bvceo	85			V	ICBO=100uA Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector Breakdown Voltage	Bvceo	8.2			V	IECO=10uA
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)			0.3	V	IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1	IPCE	300		400	uA	Vce=5V Ee=1mw/cm2 λP=850nm
Photocurrent 2	IPCE	500		600	uA	VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm
Current gain	hFE	2000		3000	uA	VCE=5V IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity	λP		940		nm
Range of Spectral Bandwidth	λ0.5	700		1100	nm
Response Time-Rise Time	tR		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Response Time-Fall Time	tF		15		us
Half Sensitivity angle	△λ		±10		deg
Collector-base Capacitance	CCB			8	PF	F=1MHz,VCB=3V

* Aby zachować długą żywotność każdej diody LED, fabryka BestLED używa drutu o wysokiej czystości do połączenia obwodu wewnętrznego

- Opakowanie LED IR -

* Możemy zapakować tę diodę LED w dowolną liczbę opakowań i przykleić lub zgiąć kołki LED zgodnie z wymaganiami.

- Powiązana dioda podczerwieni -

- Proces produkcji -

- Otworowa dioda LED IR -