3Shenzhen Best LED Opto-electronic Co., Ltd oferuje 770nm LED (± 10nm) w magazynie. Te diody IR o zakresie długości fali 760-770nm, 770-780nm są dostępne w fabryce Best LED. 3528FIRC-77L/14I100 to wysokowydajna dioda emitująca podczerwień w technologii GaAlAs w technologii GaAs, zatopiona w przezroczystych, przezroczystych, barwionych na biało plastikowych opakowaniach. Który może działać przy napięciu 1,8-2,5 i prądzie 100mA. Diody LED 770 nm są szeroko stosowane w sprzęcie do uprawy roślin i detekcji medycznej. maW porównaniu ze standardową technologią GaAs w technologii GaAs emitery te osiągają ponad 100% poprawę mocy promieniowania przy podobnej długości fali. Napięcia przewodzenia przy niskim prądzie i przy wysokim prądzie impulsowym z grubsza odpowiadają niskim wartościom standardowej technologii. Dlatego te emitery idealnie nadają się jako wysokowydajne zamienniki standardowych emiterów. Wszystkie diody IR LED, UV LED i widoczne diody LED mogą spełniać normy ROHS REACH, EN62471, LM80.

- Parametry wymiarów -

Te obudowy LED SMD są również dostępne dla LED IR, LED UV, niebieskiej diody LED SMD, czerwonej diody LED SMD, bursztynowej diody LED ect.

- Emitujący Kolor -

- Parametry elektryczne -

Absolutne maksymalne oceny przy Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	270mW
Pulse Forward Current	IFP	350mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Charakterystyka optyczna i elektryczna ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.8		2.5	V	IF=100mA
Pulse Forward Voltage	VF		3		V	IFP=350mA
Radiant Intensity	IE	40		60	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	760	770	780	nm	IF=100mA
Total Radiated Power	PO		5.0		mw	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=100mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=100mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- 770nm LED -

- Połączenie złotego drutu -

* Aby zachować długą żywotność każdej diody LED, fabryka BestLED używa drutu o wysokiej czystości do połączenia obwodu wewnętrznego

- Pakowanie -

* Pakujemy go za pomocą pakowania próżniowego po taśmie jako rolka

-Podanie-

- Powiązana dioda LED -

- Produkcja -

- Posługiwać się -