- 660nm LED -

5050FRC-66L / 14

0,2W SMD LED 5050 3-chipowe 660nm LED to głęboka czerwona dioda elektroluminescencyjna, która jest szeroko stosowana w przemyśle kosmetycznym, uprawie roślin, suplementach światła lub innych specjalnych zastosowaniach. Ze względu na koszt 660nm diod LED te czerwone diody LED nie są zbyt popularne w projektach oświetlenia LED lub lampie LED. Jednak dioda LED 660nm wciąż zyskuje na popularności, ponieważ jest efektem. W porównaniu z przelotową diodą LED z 660nm, dioda LED SMD 660nm zapewni lepszą wydajność w zakresie rozpraszania ciepła. Z drugiej strony, dioda SMD ma również mniejszy rozmiar niż dioda przewlekana, która jest łatwiejsza do dopasowania do płytki drukowanej i automatu spawalniczego. Jak wiemy, w diodzie LED 5050 SMD są trzy pozycje. Po to aby Obudowa 5050 SMD LED może być zapakowana w 3 chipy w środku. W przypadku niektórych projektów tylko jeden chip może nie spełnić tego wymagania. Aby zwiększyć moc wyjściową i promieniowanie na jednej diodzie LED, zapakujemy to z 3 tymi samymi chipami LED do 5050 SMD LED, aby uzyskać silniejsze promieniowanie lub jasność. Istnieją rodzaje chipów LED, które można zapakować w jedną diodę LED 5050 SMD, która może być 3 różnymi chipami lub 3 takimi samymi chipami. To całkowicie zależy od twoich wymagań. Jeśli jeden układ LED 660nm nie może spełnić Twoich wymagań, ten nie pozwoli Ci rozczarować. Jednolita moc świetlna, długa żywotność, niezawodność w stanie stałym i niskie zużycie energii to zalety tej 3 chipów 660nm SMD LED. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej informacji ~

- Parametry wymiarów -

Te obudowy SMD LED są również dostępne dla diod podczerwieni, diod UV, niebieskiej diody SMD, czerwonej diody SMD, bursztynowej diody LED itp.

- Emitujący Kolor -

- Parametry elektryczne -

Bezwzględne maksymalne oceny przy Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	180mw
Pulse Forward Current	IFP	300mA
Forward Current	IF	60mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	3000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Charakterystyka optyczna i elektryczna ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.8	1.9	2.3	V	IF=60mA
		1.9	2.1	2.4	V	IF=180mA
		2.0	2.2	2.5	V	IF=300mA
Luminous Intensity	ΦVI	2.7		3.8	lm	IF=60mA
		9		13	lm	IF=180mA
		12		18	lm	IF=300mA
Lumiuous Power	PO	35		55	mw	IF=60mA
		120		180	mw	IF=180mA
		200		300	mw	IF=300mA
Peak Wavelength	λP	655	660	665	nm	IF=60mA
Dominant Wavelenth	λd	640	645		nm	IF=60mA
Half Width	Dl		17		nm	IF=60mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=60mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- Złote połączenie przewodowe -

- Pakowanie -

* Pakujemy pakując próżniowo po taśmie jako rolkę

- Podanie -

- Powiązana czerwona dioda LED -

- Produkcja -

- Zastosowanie 660nm SMD LED -