Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Packaging: Pudełko kartonowe
wydajność: 1000000000 pcs/week
transport: Ocean,Land,Air
Place of Pochodzenia: Chiny
Wsparcie: 7000000000 pcs/week
Certyfikat: GB/T19001-2008/ISO9001:2008
Código HS: 8541401000
Porta: SHENZHEN
Rodzaj płatności: T/T,Paypal,Western Union
Incoterm: FOB,EXW,FCA
Model No: 1206PT850D &1206IRC-85L
Marka: Najlepsza dioda LED
Jednostki sprzedaży: | Piece/Pieces |
---|---|
Typ pakietu: | Pudełko kartonowe |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
1206PT850D i 1206IRC-85L
Istnieją dwa rodzaje diod LED powyżej, biała to emiter podczerwieni LED 850nm, a czarna to odbiornik podczerwieni typu 850nm LED z widokiem z góry, który można również nazwać diodą fotograficzną 850nm. W obwodzie emiter LED 850nm emituje sygnał, po czym odbierze go odbiornik podczerwieni. Zwykle odbiornik podczerwieni będzie zapakowany jako czarna soczewka, aby odfiltrować dodatkowe światło, które może zapewnić, że otrzyma sygnał, którego potrzebujemy. W przypadku odbiornika podczerwieni istnieje również inny kształt do wyboru, taki jak okrągły wierzchołek 3 mm, okrągły wierzchołek 5 mm, typ 3528 SMD LED ect.
- Size: 2.0*1.25*0.8mm - Chip Number: 1 chip - Color: 850nm LED - Type: Surface mount device - Chip brand: Epistar |
- Polarity Mark - Different color are available - Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471 |
- Uniform light output - Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance |
-Parametrywymiarów-
Te obudowy SMD LED są również dostępne dla diod podczerwieni, diod UV, niebieskiej diody SMD, czerwonej diody SMD, bursztynowej diody LED itp.
* Kolory na zdjęciu zostały wykonane aparatem, w standardzie należy wziąć rzeczywisty kolor emitujący.
- Parametry elektryczne -
Bezwzględne maksymalne oceny przy Ta = 25 ℃
Parameter |
Symbol |
Rating |
Power Dissipation |
Pd |
50mW |
Pulse Forward Current |
IFP |
100mA |
Forward Current |
IF |
30mA |
Reverse Voltage |
VR |
5V |
Junction Temperature |
Tj |
115°C |
Operating Tempertature |
Topr |
-40 - +80°C |
Storage Tempertature |
Tstg |
-40 - +100°C |
Soldering Temperature |
Tsol |
260°C |
Electro-Static-Discharge(HBM) |
ESD |
2000v |
Warranty |
Time |
2Years |
Antistatic bag |
Piece |
3000Back |
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. |
||
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C |
Charakterystyka optyczna i elektryczna ( T c = 25 ℃ )
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
Forward Voltage |
VF |
1.3 |
|
1.6 |
V |
IF=30mA |
Pulse Forward Voltage |
VF |
|
2.0 |
|
V |
IFP=100mA |
Radiant Intensity |
IE |
2.3 |
|
4.8 |
mw/sr |
IF=30mA |
Peak Wavelength |
λP |
845 |
850 |
858 |
nm |
IF=30mA |
Total Radiated Power |
PO |
|
3.2 |
|
mw |
IF=30mA |
Half Width |
Dl |
|
50 |
|
nm |
IF=30mA |
Viewing Half Angle |
2q1/2 |
|
±70 |
|
deg |
IF=30mA |
Reverse Current |
IR |
|
|
5 |
uA |
VR=5V |
Rise Time |
Tr |
|
25 |
|
ns |
IF=30mA |
Fall Time |
Tf |
|
13 |
|
ns |
IF=30mA |
*Luminous Intensity is measured by ZWL600. |
||||||
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. |
||||||
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. |
Odbiornik 1206 smd
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
|
|
30 | V |
|
Emitter-Collector Voltage |
VECO |
|
|
5 | V |
|
Collector Dark Current |
ICEO |
|
|
30 |
nA |
VCE=20V Ee=0mw/cm2 |
Collector Dark Current |
ICEO |
|
|
150 | uA |
VCE=70V Ee=0mw/cm2 |
On State Collector Current |
IC(on) |
|
0.7 |
4
|
mA |
Ee=1mw/cm2 Vce=5v |
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
Bvceo |
85 |
|
|
V |
ICBO=100uA Ee=0mw/cm2 |
Emitter-Collector Breakdown Voltage |
Bvceo |
8.2 |
|
V |
IECO=10uA |
|
Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
|
|
0.3
|
V |
IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2 |
Photocurrent 1 |
IPCE |
300
|
|
400
|
uA |
Vce=5V Ee=1mw/cm2
λP=850nm |
Photocurrent 2 |
IPCE | 500 |
|
600 | uA |
VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm |
Current gain |
hFE |
200
|
|
3000
|
uA |
VCE=5V IC=2mA |
Wavelenghth of Peak Sensitivity |
λP |
|
850
|
|
nm |
|
Range of Spectral Bandwidth |
λ0.5 |
700
|
|
1100
|
nm |
|
Response Time-Rise Time |
tR |
|
15 |
|
us |
Vce=5v Ic=1mA
RL=1000Ω |
Response Time-Fall Time |
tF |
|
15 |
|
us | |
Half Sensitivity angle |
△λ |
|
±10 |
|
deg |
|
Collector-base Capacitance |
CCB |
|
|
8 | PF | F=1MHz,VCB=3V |
- Złote połączenie przewodowe -
- Pakowanie -
* Pakujemy pakując próżniowo po taśmie jako rolkę
- Podanie -
- Powiązana dioda LED -
- Produkcja -
- Posługiwać się -
Tel: 86-0755-89752405
Mobile Phone: +8615815584344
Email: amywu@byt-light.comAdres: Building No. 1 Lane 1 Liuwu Nanlian The Fifth Industry Area , Longgang, Shenzhen, Guangdong China
Witryna internetowa: https://pl.bestsmd.com
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.